NXP представляет технологию Gen8 LDMOS для базовых станций с интенсивным использованием полосы пропускания
20 Июня 2011
Компания NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой эффективностью.
В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью, высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 г.
Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов, – с низким потреблением энергии и оптимальными затратами.
Ключевые характеристики
• Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более высокий КПД при меньших размерах и цене.
• У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на 5% (в зависимости от приложения).
• Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502.
• Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.
• LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц.
Цитаты:
• Кристоф Кугге (Christophe Cugge), директор по маркетингу, подразделение усилителей мощности для базовых станций, компания NXP Semiconductors, отмечает: «Растущая популярность приложений с интенсивным использованием полосы пропускания стимулирует постоянное развитие технологий беспроводных базовых станций. С недорогой, высокоэффективной технологией Gen8 LDMOS компании NXP OEM-производители базовых станций смогут создавать мультистандартные, готовые к будущему решения и повышать выход продукции за счет более строгих спецификаций для массового производства. Компания NXP разрабатывает референсные схемы на базе Gen8 LDMOS для ряда устройств, включая асимметричный усилитель и 3-канальный усилитель Догерти.
В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью, высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 г.
Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов, – с низким потреблением энергии и оптимальными затратами.
Ключевые характеристики
• Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более высокий КПД при меньших размерах и цене.
• У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на 5% (в зависимости от приложения).
• Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502.
• Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.
• LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц.
Цитаты:
• Кристоф Кугге (Christophe Cugge), директор по маркетингу, подразделение усилителей мощности для базовых станций, компания NXP Semiconductors, отмечает: «Растущая популярность приложений с интенсивным использованием полосы пропускания стимулирует постоянное развитие технологий беспроводных базовых станций. С недорогой, высокоэффективной технологией Gen8 LDMOS компании NXP OEM-производители базовых станций смогут создавать мультистандартные, готовые к будущему решения и повышать выход продукции за счет более строгих спецификаций для массового производства. Компания NXP разрабатывает референсные схемы на базе Gen8 LDMOS для ряда устройств, включая асимметричный усилитель и 3-канальный усилитель Догерти.
Последние новости раздела
26 апреля 2024
26 апреля 2024