ЦНИИ «Электроника» оценил инновационный потенциал России

23 Сентября 2015
Специалисты ЦНИИ «Электроника рассмотрели текущее состояние радиоэлектронной отрасли России. На основании этого анализа были определены сильные и слабые стороны отрасли, а также условия для успешного инновационного развития предприятий данной сферы.

Радиоэлектронная отрасль является своеобразным зеркалом инновационного состояния промышленности в стране, так как практически в любой конечной продукции присутствуют или электронные компоненты, или радиоэлектронные узлы, блоки, модули, приборы, системы, которые определяют технические возможности всей выпускаемой конечной продукции.

По расчетам Минпромторга России мировой объем рынка радиоэлектронной продукции к 2025 году составит свыше 4 трлн долларов США (для сравнения: по тем же расчетам в 2011 году мировой объем рынка радиоэлектронной продукции оценивался в 2,3 трлн долларов США). При этом объем российского рынка радиоэлектроники в 2013 году составил 1 трлн рублей, а ожидаемый объем рынка к 2025 году немногим более 3 трлн рублей.

Текущее состояние отечественной технологической базы, разработок и серийного производства электронной компонентной базы (ЭКБ) свидетельствуют о глубоком структурно-технологическом кризисе, вызванных целым рядом причин. На восстановление утраченных технологий могут уйти десятки лет и колоссальные финансовые затраты.

Однако, несмотря на указанные проблемы, российская радиоэлектронная промышленность сохраняет потенциал инновационного роста по многим направлениям. Среднегодовой рост российского рынка радиоэлектроники в докризисный период превышал 35 % в год. Достигнутые темпы роста определялись интенсивным ростом экономики России в целом и общемировой тенденцией опережающего роста промышленности радиоэлектроники.

Подробнее с данной методикой можно ознакомиться в материалах научной статьи «РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ КАК ЗЕРКАЛО ИННОВАЦИОННОГО ПОТЕНЦИАЛА РОССИИ», опубликованной в журнале «Вопросы радиоэлектроники», Серия Электронная вычислительная техника (ЭВТ) Выпуск 2. В подготовке статьи приняли участие И.А. Николаев (АО «Росэлектроника), к.э.н. Д.В. Жидков, д.э.н. Н.Л. Пирогов, д.э.н. А.В. Фомина.