Highscreen Zera S поступил в продажу в России

В марте 2014 года российский бренд Highscreen анонсировал новую линейку смартфонов Zera и начал продажи ее первого представителя – Highscreen Zera F («Зера Эф» или «Жираф»). Он стал первым в России бюджетным (3 990 рублей) смартфоном с характеристиками начала 2014 года. Под этим следует понимать наличие 1 Гб оперативной памяти и качественного IPS-экрана – такие компоненты не встречались в «бюджетниках» 2013 года.

Сегодняшняя новинка – второй представитель новой серии Highscreen Zera S и первый в России бюджетный 4-ядерный смартфон с характеристиками начала 2014 года. Новинка приходит на смену модели Highscreen Alpha Rage, которая на момент выхода на рынок в августе 2013 года была самым доступным по цене 4-ядерным смартфоном в России – ее цена составляла 4 990 рублей.

В новом Highscreen Zera S используется современный и производительный чипсет MediaTek MT6582. Не путать с MT6582M: обе этих аппаратных платформы включают по 4 ядра ARM Cortex-A7 и графику Mali-400MP2, но в случае Highscreen Zera S она работает на частоте 500 МГц, а в случае аппаратов на MT6582M – 416 МГц. Кроме того, центральный процессор Highscreen Zera S имеет максимальную частоту 1,4 ГГц – против 1,3 в случае устройств на MT6582M, а объем установленной в смартфон оперативной памяти равен 1 Гб. Благодаря всем этим аппаратным компонентам новинка Highscreen обеспечивает ощутимо более высокую производительность в играх, чем типичные 4-ядерные смартфоны образца конца 2013 года, которые базируются или на MT6582M, или на еще более медленном MT6589, или вовсе на жутко древнем Qualcomm MSM8225Q.

Вторым признаком, характеризующим Highscreen Zera S как смартфон с характеристиками 2014 года, является экран: технологией IPS как таковой уже никого не удивишь, но дисплей новинки выполнен с использованием технологии OGS (One Glass Solution). Она также не встречалась в 2013 году в аппаратах ценой до 6 тысяч рублей. Эта технология подразумевает объединение ЖК-панели и сенсорного слоя в одно целое, что убирает воздушную прослойку между этими компонентами и заметно улучшает качество изображения. Разрешение экрана Highscreen Zera S составляет 540 х 960 точек при диагонали в 4,5 дюйма.

Также в Highscreen Zera S предусмотрены камеры на 2 и 5 мегапикселей (последняя – с автофокусом), слот для флеш-карт формата MicroSD, два гнезда для SIM-карт и аккумулятор емкостью 1 800 мАч. Функционирует устройство под управлением операционной системы Android 4.2.2 Jelly Bean, дополненной клиентом облачного сервиса 4sync. На нем обладателю новинки предоставляется 64 Гб пространства для хранения данных.

Как и Highscreen Zera F, модель Zera S обладает уникальным дизайном, разработанным в Highscreen.
Он представляет собой «коктейль», ингредиенты которого взяты у лучших по дизайну флагманских смартфонов 2013 года. В итоге получился аутентичный продукт, который отлично выглядит – на порядок лучше, чем любые недорогие ODM-смартфоны локальных марок образца прошлого (да и этого, впрочем, тоже) года.

Если коротко, то в дизайне Highscreen Zera S используются:

Оформление основной камеры от смартфонов Nokia Lumia – например, Lumia 1520.

Корпус из поликарбоната с бархатистым напылением – как у все тех же Nokia Lumia.

Вдавленный в поверхность задней панели логотип – как у LG Nexus 5.

Прямоугольная фронтальная часть – как у HTC Windows Phone 8X.

Решетка мультимедийного динамика – как у iPhone 5S.

В комплекте со всеми смартфонами Zera, включая Highscreen Zera S, идут зарядка и кабель с подсветкой. Блок зарядного устройства всегда светится синим, а кабель, в зависимости от заряда, красным (когда смартфон заряжается) и синим (когда аккумулятор заряжен).

Продажи Highscreen Zera S уже начались. Смартфон доступен в розничных сетях и фирменных магазинах «Вобис Компьютер», включая интернет-магазин (vobis.ru).

До конца весны в продаже появятся еще одна модель серии Zera – флагманский Highscreen Zera U: это смартфон на базе 8-ядерного процессора MediaTek MT6592 с максимальным «фаршем», включая экран формата Full HD и два сменных аккумулятора емкостью 4 000 и 2 000 мАч.